В марте 2007 года Ed Doller, главный технолог Intel, во время телеконференции заявил, что компания отправит коммерческие образцы 128 Мбит 90 нм фазовой памяти заказчикам в первой половине 2007 года. Он также уверял, что в конце года начнется серийное производство приборов.
Все первую половину 2007 года инженеры совершенствовали память и отрабатывали технологию на пилотной линии в Agrate (Италия), произвели некоторые доработки, которые позволили повысить степень интеграции схемы. Был сэкономлен один критический шаблон, что позволило сделать память более масштабируемой, уменьшить разброс электрических параметров в пределах матрицы.
Поскольку прибор еще не поступил в серийное производство, инженеры решили внести эти изменения в 90 нм прототип, чтобы облегчит переход к следующему 65 нм поколению памяти. "Мы могли бы изготовить 90 нм коммерческие приборы еще в четвертом квартале 2007 года", говорит Paolo Cappelletti, вице-президент по перспективным технологиям из STMicro.
"Но мы решили совместить три события – начать поставки коммерческих приборов, выступить с докладом на ISSCC 2008 по многоуровневым PCM и продемонстрировать образцы на конференции в Барселоне".