Компания Vishay Intertechnology Inc. выпустила первый прибор из нового поколения мощных MOSFET-транзисторов семейства TrenchFET Gen III с ультранизким сопротивлением канала.

Si7192DP – это n-канальный MOSFET-транзистор  в 8-выводном корпусе PowerPAK SO, максимальное сопротивление в открытом состоянии которого не превышает 2,25 мОм при напряжении 4,5 В.

Отношение величины сопротивления в открытом состоянии к заряду (On-Resistance Times Gate Charge) - ключевой показатель качества MOSFET-транзисторов, используемых в DC/DC-преобразователях – равен 98 мОм/нКл для данного прибора, что является рекордом в отрасли для транзисторов с VDS = 30 В, VGS = 20 В в корпусе типа SO-8. Более низкое сопротивление открытого канала и более низкий заряд на затворе позволяют достичь более низких потерь на переключение  и проводимость транзистора.

Si7192DP предназначен для использования в нижнем плече синхронных понижающих преобразователей и вторичных синхронных выпрямителях. Низкие импульсные потери этого транзистора, а также высокая проводимость позволяют применять их в высокоэффективных и компактных устройствах для модулей стабилизаторов напряжения, серверов и широкой номенклатуры систем, использующих point-of-load (POL) – преобразование.

Дата публикации: 28.03.2008

Другие новости ...


LiveInternet