Это достижение, презентация которого состоялась на Международной конференции по твердотельным приборам ISSCC 2008 (Solid-State Circuits Conference, 3-7 февраля 2008 года, Сан-Франциско) открывает новые возможности для создания недорогих датчиков, применяемых в медицине, военных приложениях и контроле окружающей среды.
Руководитель проекта, профессор Кен О (Ken O) сообщил, что его команда создала схему, работающую на частоте 410 ГГц, и изготовленную с применением низковольтной CMOS технологии компании TI с топологическим нормами 45 нм.
Таким образом, побит предыдущий рекорд для CMOS схем, установленный в феврале 2006 года - 200 ГГц. Кроме того, новое достижение на 60 ГГц выше, чем результат, полученный для схем на основе более дорогого полупроводника - фосфида индия.
"Это, вероятно, первый случай за последние 30 лет, когда кремниевые схемы продемонстрировали более высокую рабочую частоту, чем устройства на основе фосфида индия" отметил г-н Кен О. "Если удастся наладить выпуск чипов на этих схемах, появится возможность конструировать недорогие системы детектирования и генерирования изображений для различных приложений, причем, цены на них могут снизиться в 100 и более раз".