Intel и STMicroelectronics направили первые образцы энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM), заказчикам для тестирования

На Международной конференции по твердотельным приборам ISSCC 2008 (Solid-State Circuits Conference, 3-7 февраля 2008 года, Сан-Франциско), Intel и STMicroelectronics сообщили о своих успехах в разработке энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM).

Компании представили чип "Alverstone", изготовленный по технологии PCM – первый в отрасли коммерческий прибор, который может стать прототипом для нового семейства энергонезависимой памяти. Чип обладает высокой скоростью записи и чтения, потребляет меньше энергии, чем стандартные флэш, позволяет нормально видеть его в RAM.

PCM в течение длительного времени была предметом научных исследований. Было предприято несколько попыток (безуспешных) вывести этот тип памяти на рынок. Возможно, с разработкой "Alverstone", Intel и STMicroelectronics, удастся решить эту задачу.

"Это наиболее значимое достижение в области энергонезависимой памяти за последние 40 лет", считает Ed Doller, главный технолог из Numonyx, совместного предприятия Intel, STMicroelectronics и Francisco Partners, созданного в мае 2007 года для выпуска энергонезависимой памяти.

"Было предпринято несколько попыток разработать технологию новой энергонезависимой памяти, однако все они остались на уровне концепций. PCM казалась наиболее привлекательным решением – Intel и STMicroelectronics сегодня представили PCM на суд клиентов. Это важный этап для промышленности и для наших компаний".

Компании также представили многоуровневую схему памяти (MLC, multi-level cell) на основе технологии PCM. Переход от одноуровневых ячеек (SLC) к многоуровневым (MLC) позволяет значительно увеличить плотность памяти и снизить ее стоимость в расчете на Мбайт.

В 2003 году Intel и STMicroelectronics сформировали совместную программу JDP (Joint Development Program) для разработки Phase Change Memory. В 2004 году на конференции VLSI, JDP продемонстрировала память плотностью 8 Мбит, изготовленную по 180 нм технологии, а в 2006 году на VLSI Symposium впервые была показана 90 нм 128 Мбит Alverstone.

Дата публикации: 07.02.2008

Другие новости ...


LiveInternet