Компания Ramtron International предлагает ферроэлектрическую память FRAM FM25H20 емкостью 2 Мбит в 8-выводном корпусе TDFN с размерами 5х6 мм. По заявлению компании, это первая в отрасли 2 Мбит FRAM в корпусе TDFN.

Напряжение питания прибора 3 В (от 2.7 до 3.6 В), организация 256Kx8, рабочая частота 40 МГц, ток записи 10 мА (40 МГц), ток в дежурном режиме 80 мкА, в "спящем" - 3 мА, интерфейс SPI (serial peripheral interface). Микросхема изготавливается по 130 нм CMOS процессу.

FRAM FM25H20 может быть использована для замены последовательной флэш в сложных электронных системах с плотной компоновкой и с ограничениями по потреблению, например, в слуховых аппаратах, где необходимо обрабатывать большие потоки данных в ограниченном объеме. По сравнению с флэш, FRAM потребляет меньше энергии, обеспечивает более высокую скорость записи, намного большие сроки хранения данных.

FRAM FM25H20 работает в диапазоне температур от –40 до 85°C, выпускается в 8-выводном RoHS совместимом корпусе TDFN, предлагается по $10.20 в партиях от 10,000 штук. Компания имеет образцы FM25H20.

Дата публикации: 14.04.2008

Другие новости ...


LiveInternet