Компания Samsung Semiconductor запустила в массовое производство микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей информационной емкостью и наименьшим потреблением энергии для применения в серверах.

Новая микросхема DDR2 DRAM емкостью 2 Гбит потребляет на 50% меньше энергии при напряжении питания 1,55 В. Модули DIMM DDR2 на основе 2 Гбит кристаллов производятся в 4- и 8-Гбит исполнении. Кристаллы DRAM емкостью 2 Гбит производятся по 60 нм технологическому процессу – самому передовому на сегодняшний день для микросхем DRAM.

Компания Samsung предлагает также  микросхемы DRAM емкостью 1 Гбит и, таким образом, обеспечивает выпуск полного набора модулей памяти для серверов емкостью от 1 до 8 Гбит.

Дата публикации: 04.04.2008

Другие новости ...


LiveInternet