Компания Ramtron объявила о начале производства микросхемы энергонезависимой памяти FRAM объемом 4 Мбит с параллельным интерфейсом. Микросхема имеет практически неограниченный ресурс циклов перезаписи, содержит монитор напряжения питания для защиты от случайной записи. Выводы микросхемы соответствуют стандарту расположения выводов (JEDEC) микросхем памяти SRAM.
Основные характеристики:
* Организация памяти FRAM: 4 Мбит (256 K × 16 бит, либо 512 К × 8 бит);
* Число циклов перезаписи: 1014;
* Время доступа к памяти: 55 нс;
* Напряжение питания: 2,7…3,6 В;
* Монитор напряжения питания;
* Возможность программной защиты блоков памяти;
* Ток потребления:
- в рабочем режиме: 12 мА;
- в режиме хранения: 90 мкA;
* Корпус FBGA-48;
* Рабочий диапазон температур: -40…+85 °С.
Для получения более подробной информации вы можете обратиться
в один из офисов компании ЭЛТЕХ.
Дата публикации: 25.03.2009
Другие новости ...