Новости

Atmel переводит ИС флэш-памяти DataFlash емкостью 1 Мбит на 0.13 мкм технологию

Флэш память AT45DB011B (1 Мбит, семейство DataFlash), выпускаемая по 0.25 мкм CMOS технологии, переведена на технологию 0.13 мкм, благодаря чему снижены размеры кристалла и увеличено быстродействие с 20 МГц до 66 МГц

Снижение размеров кристалла поспособствовало улучшению возможностей ИС и появлению новых особенностей, таких как:

  • последовательный интерфейс RapidS™ (макс. тактовая частота 66 МГц);
  • SPI-совместимые режимы 0 и 3;
  • возможность считывания идентификационного кода производителя и микросхемы (по стандарту JEDEC);
  • 128-байтный однократно-программируемый регистр (64 байт программируемых пользователем + 64 байта запрограммированных производителем единообразным кодом);
  • программная и аппаратная защита секторов;
  • возможность раздельной защиты секторов;
  • возможность раздельной блокировки записи отдельных секторов (превращаются в ПЗУ);
  • однократно конфигурируемый размер страницы и буфера;
  • время TCSS (время установления сигнала /CS)снижено до 5 нс.

Кроме того, Atmel заменяет использующийся для лужения выводов 100-процентный оловянный припой на никель-палладиево-золотой (NiPdAu). Оба припоя являются RoHS-совместимыми.

Не нашедшие широкого применения исполнения в корпусах CBGA и TSSOP снимаются с производства. Для тех, кто использовал эти исполнения, Atmel рекомендует перейти на применение 8-выводных корпусов SOIC (ширина 150 мд) или DFN (5 х 6 мм). Для перехода с корпуса CBGA или TSSOP на SOIC или DFN потребуется модификация печатной платы.

Дата публикации: 12.02.2008

Другие новости ...

Rambler's Top100
SpyLOG
Рейтинг@Mail.ru
LiveInternet