Infineon анонсировал новое семейство 10-Ваттных RF Power транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками и низкой стоимостью.
Семейство включает три LDMOS транзистора в пластмассовых RoHS совместимых корпусах типа TSSOP-10, работающих в диапазонах частот 450-960 МГц, 1000-2000 МГц, 2100-2170 МГц и соответствующих индустриальному стандарту.
Данные устройства обеспечивают превосходную тепловую стабильность.

PTF080101M

- 10 Вт GOLDMOS FET транзистор, предназначенный для EDGE применений, работающих в диапазоне частот 860 - 960 МГц (pdf)



Типовые характеристики для EDGE применений:

средняя выходная мощность: 5.0 Вт

коэффициент усиления: 19 дБ

коэффициент полезного действия: 37%

Типовые характеристики для CW применений:

выходная мощность (P-1dB): 12.5 Вт

коэффициент усиления: 18 дБ

коэффициент полезного действия: 50%

PTF180101M

- 10 Вт GOLDMOS FET транзистор, предназначенный для построения базовых станций класса AB, функционирующих в диапазоне частот 1 - 2 ГГц. (pdf)



Типовые характеристики для EDGE применений:

средняя выходная мощность: 4.0 Вт

коэффициент усиления: 17 дБ

коэффициент полезного действия: 31%

Типовые характеристики для CW применений:

выходная мощность (P-1dB): 10.0 Вт

коэффициент усиления: 16 дБ

коэффициент полезного действия: 50%

PTF210101M

- 10 Вт GOLDMOS FET транзистор, предназначенный для построения базовых станций класса AB, функционирующих в частотном диапазоне 2110 - 2170 МГц. (pdf)



Типовые характеристики для WCDMA применений:

средняя выходная мощность: 2.0 Вт

коэффициент усиления: 15 дБ

коэффициент полезного действия: 20%

Типовые характеристики для CW применений:

выходная мощность (P-1dB): 10.0 Вт

коэффициент усиления: 14 дБ

коэффициент полезного действия: 50%